观点网讯：11月3日，三星电子将利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础晶圆。
报道称，该工厂预计将于本月正式动工，且已获得其全部产量的订单，其中大部分订单来自AMD。
该工厂将采用2纳米工艺，占地面积约270万平方英尺，约为第一座工厂面积的1.5倍。
三星位于得州的第一座代工厂已与特斯拉签订合同。
该工厂设备预计将于2029年2月开始安装，2030年投入量产。
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